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EPC2103ENGRT Technische Spezifikationen

TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer EPC
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 7mA
Series eGaN®
Power - Max -
Package / Case Die
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7600pF @ 40V
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package Die
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5 mOhm @ 20A, 5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.5nC @ 5V
FET Feature GaNFET (Gallium Nitride)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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EPC2100ENGRT EPC Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2619
EPC2101 EPC Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2635
EPC2101ENG EPC Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2664
EPC2101ENGRT EPC Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2689
EPC2102 EPC Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2692
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