EPC2111ENGRT Technische Spezifikationen

TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer EPC
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names 917-EPC2111ENGRTR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 16 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 230pF @ 15V, 590pF @ 15V
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package Die
Power - Max -
Package / Case Die
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
FET Feature GaNFET (Gallium Nitride)
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A (Ta) Surface Mount Die
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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