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DTD114GKT146 Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 200mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Frequency - Transition 200MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Supplier Device Package SMT3
Resistor - Base (R1) (Ohms) -
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 50mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
DTD113ECHZGT116 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2561
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DTD113ECT116 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2500
DTD113ECT116 ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTD113EK ROHM Spezialisierte heiße ICs 1133
DTD113EK T146 ROHM Spezialisierte heiße ICs 39000
DTD113EKFRAT146 ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTD113EKT146 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 12204
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DTD113ES ROHM Spezialisierte heiße ICs 7200

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DTD114GKT146 Markenhersteller: LAPIS Semiconductor, Bonchip Aktie, DTD114GKT146 Referenzpreis. DTD114GKT146 Parameter, DTD114GKT146 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden DTD114GKT146 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden DTD114GKT146 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, DTD114GKT146 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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