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APT56M60L Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 56A TO-264

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package TO-264
Power Dissipation (Max) 1040W (Tc)
Package / Case TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 280nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130 mOhm @ 28A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11300pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
APT564-227-1334 APT Spezialisierte heiße ICs 2876
APT56F50B2 Microsemi Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2779
APT56F50L Microsemi Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2798
APT56F60B2 Microsemi Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2787
APT56F60B2 94N65 MOS Microsemi Spezialisierte heiße ICs 1267
APT56F60L Microsemi Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2603
APT56H50J MICROSEMI IGBT-Module 2809
APT56M50B2 Microsemi Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2745
APT56M50B2 Microsemi Corporation Einzelne MOSFET-Transistoren
APT56M50L Microsemi Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2896

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