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FGPF30N45TTU Technische Spezifikationen

IGBT 450V 50.4W TO220F

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Part Status Obsolete
Max Power Dissipation 50.4W
Input Type Standard
Collector Emitter Breakdown Voltage 450V
IGBT Type Trench
Current - Collector Pulsed (Icm) 120A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Packaging Tube
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Element Configuration Single
Collector Emitter Voltage (VCEO) 450V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 15V, 20A
Gate Charge 73nC
RoHS Status RoHS Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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FGPF30N30DTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 2535
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