NGTB40N120L3WG Technische Spezifikationen

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Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2009
Part Status Active
Max Power Dissipation 454W
Power - Max 454W
Max Collector Current 160A
Collector Emitter Breakdown Voltage 1.2kV
Collector Emitter Saturation Voltage 1.55V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 40A
Gate Charge 220nC
Switching Energy 1.5mJ (on), 1.5mJ (off)
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Packaging Tube
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) Not Applicable
Input Type Standard
Collector Emitter Voltage (VCEO) 2V
Reverse Recovery Time 86 ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition 600V, 40A, 10 Ω, 15V
IGBT Type Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C 18ns/150ns
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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