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NGTB40N60FLWG Technische Spezifikationen

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 277000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 5 Weeks
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Weight 6.500007g
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
ECCN Code EAR99
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Pin Count 3
Input Type Standard
Halogen Free Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600V
Reverse Recovery Time 77 ns
Collector Emitter Saturation Voltage 1.85V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 40A
Gate Charge 171nC
Td (on/off) @ 25°C 85ns/174ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
Height 21.4mm
Width 5.3mm
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Package / Case TO-247-3
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Power Dissipation 257W
Element Configuration Single
Power - Max 257W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 80A
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Test Condition 400V, 40A, 10 Ω, 15V
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 160A
Switching Energy 890μJ (on), 440μJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 6.5V
Length 16.25mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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