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NGTB40N60L2WG Technische Spezifikationen

ON SEMICONDUCTOR NGTB40N60L2WG IGBT Single Transistor, 80 A, 2 V, 417 W, 600 V, TO-247, 3 Pins

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Weight 38.000013g
Packaging Tube
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Element Configuration Single
Power - Max 417W
Max Collector Current 80A
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Test Condition 400V, 40A, 10 Ω, 15V
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 160A
Switching Energy 1.17mJ (on), 280μJ (off)
Length 16.26mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2011
Part Status Active
Max Power Dissipation 417W
Input Type Standard
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600V
Reverse Recovery Time 73 ns
Collector Emitter Saturation Voltage 2V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.61V @ 15V, 40A
Gate Charge 228nC
Td (on/off) @ 25°C 98ns/213ns
Height 21.08mm
Width 5.3mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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