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NGTB40N65IHL2WG Technische Spezifikationen

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 3-Pin TO-247 Tube

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Element Configuration Single
Power - Max 300W
Collector Emitter Voltage (VCEO) 2.2V
Reverse Recovery Time 465 ns
Test Condition 400V, 40A, 10 Ω, 15V
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 160A
Switching Energy 360μJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 6.5V
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2014
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Power Dissipation 300W
Input Type Standard
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 80A
Collector Emitter Breakdown Voltage 650V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 40A
Gate Charge 135nC
Td (on/off) @ 25°C -/140ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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NGTB40N120FL2WAG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 2621
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