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DTD113ZKT146 Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 200mW
Terminal Form GULL WING
Current Rating 500mA
Base Part Number DTD113
Max Output Current 500mA
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 82 @ 50mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transition Frequency 200MHz
Frequency - Transition 200MHz
Resistor - Base (R1) 1 k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 10 k Ω
Length 2.9mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e1
Part Status Active
Number of Terminations 3
ECCN Code EAR99
Min Operating Temperature -55°C
HTS Code 8541.21.00.75
Voltage - Rated DC 50V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 3
Operating Supply Voltage 50V
Polarity NPN
Power Dissipation 200mW
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Max Collector Current 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Max Breakdown Voltage 50V
hFE Min 82
Continuous Collector Current 500mA
Height 1.1mm
Width 1.6mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
DTD113ECHZGT116 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2561
DTD113ECHZGT116 ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTD113ECT116 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2500
DTD113ECT116 ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTD113EK ROHM Spezialisierte heiße ICs 1133
DTD113EK T146 ROHM Spezialisierte heiße ICs 39000
DTD113EKFRAT146 ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTD113EKT146 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 12204
DTD113EKT146 ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTD113ES ROHM Spezialisierte heiße ICs 7200

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DTD113ZKT146 Markenhersteller: ROHM Semiconductor, Bonchip Aktie, DTD113ZKT146 Referenzpreis. DTD113ZKT146 Parameter, DTD113ZKT146 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden DTD113ZKT146 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden DTD113ZKT146 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, DTD113ZKT146 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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