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IRF614PBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 250V 2.7A TO-220AB

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220AB
Power Dissipation (Max) 36W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.2nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.7A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 1.6A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 140pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRF610 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2497
IRF610 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 71146
IRF610* IR Spezialisierte heiße ICs 2526
IRF6100 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 72211
IRF6100 MOS IR Spezialisierte heiße ICs 12272
IRF6100PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 5429
IRF610A FSC Spezialisierte heiße ICs 799
IRF610B FAIRCHILD Spezialisierte heiße ICs 2530
IRF610B MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 1833
IRF610L Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2718

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